2016 年 10 月 24 日，佛山市國星光電股份有限公司(以下簡稱“公司”)第四屆董事會第二次會議審議通過了《關(guān)于投資美國 RaySent 科技公司進行 LED 大功率芯片研發(fā)的議案》。

2016 年 12 月 13 日，國星與美國 RaySent 科技公司(RaySent Technologies, Inc.)(以下稱“RaySent 科技”)簽署增資協(xié)議，公司以自有資金 1,100 萬美元增資 RaySent 科技，投資完成后，RaySent 科技成為公司的控股子公司。

目前，本次投資事項已取得廣東省商務(wù)廳核準并予以頒發(fā)《企業(yè)境外投資證書》，其余境外投資的核準及報備文件，由公司董事會授權(quán)專人負責(zé)辦理后續(xù)具體事宜。

據(jù)了解，RaySent 科技主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售 LED 外延、芯片、器件及 LED 照明產(chǎn)品，以及其他半導(dǎo)體類相關(guān)器件及產(chǎn)品，提供售后服務(wù)，技術(shù)支持，相關(guān)工程和服務(wù)。

2016 年，擁有硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)的主要核心團隊成員在美國成立 RaySent 科技，其所具有的知識產(chǎn)權(quán)及專有技術(shù)涵蓋了外延生長、芯片制造、封裝等 LED 生產(chǎn)過程的全部環(huán)節(jié)。

通過本次合作， RaySent 科技將獨有的硅襯底 GaN 外延技術(shù)及垂直結(jié)構(gòu) LED 及其衍生結(jié)構(gòu)的知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)給公司及子公司，并通過公司及子公司實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。上述技術(shù)合作順利實施后， RaySent 科技將獨立開拓市場，同時繼續(xù)致力于開發(fā)其他基于硅襯底的第三代半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)與產(chǎn)品。

毋庸置疑， RaySent 科技硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)具有高技術(shù)性和商業(yè)價值。

不可否認，硅襯底擁有晶體尺寸大、成本低、易加工、熱導(dǎo)率高和熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點，可大幅降低 LED 芯片的造價，有利于 LED 器件的小型化和高電流密度化發(fā)展。同時，可期待薄膜結(jié)構(gòu)的硅基 GaN LED 芯片有更高的良率和更好的器件可靠性。

此次之外，RaySent 科技核心團隊成員均有著二十年以上豐富的工作經(jīng)驗和產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗。

RaySent 科技團隊長期研究及優(yōu)化的薄膜結(jié)構(gòu) LED 芯片適用范圍廣，且相關(guān)芯片產(chǎn)品普遍利潤率較高，將有助于公司規(guī)避同質(zhì)化競爭，打造具有核心競爭力的新產(chǎn)品投放市場，可實現(xiàn)公司短時間、低成本地提高現(xiàn)有產(chǎn)品性能和規(guī)?；a(chǎn)之目標。

國星光電表示，公司致力成為全面發(fā)展的 LED 企業(yè)，本次合作是公司加快國際化進程及推進全球化戰(zhàn)略實施的重要一步，也是落實創(chuàng)新戰(zhàn)略的重要部署，有助于公司提升上游技術(shù)實力，促進公司上中下游產(chǎn)業(yè)鏈均衡做大做強做優(yōu)，形成優(yōu)勢競爭格局;另一方面，隨著 RaySent 科技的發(fā)展，公司可展望實現(xiàn)較好投資盈利預(yù)期，增強業(yè)務(wù)擴張能力，提升公司的產(chǎn)業(yè)地位、綜合實力及新領(lǐng)域開拓能力。